NCEP080N10新洁能100V/75A高性能N沟道MOSFET,高效开关优选

张开发
2026/4/16 12:43:11 15 分钟阅读

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NCEP080N10新洁能100V/75A高性能N沟道MOSFET,高效开关优选
新洁能NCE推出的NCEP080N10是一款N沟道Super Trench II功率MOSFET采用TO-220封装具备极低的导通电阻和优异的栅极电荷特性适用于高频开关和同步整流等高效能应用场景。该器件广泛应用于DC/DC转换器、电源管理系统等领域是工程师进行电源设计时的理想选择。以下为新洁能授权代理商南山电子整理的NCEP080N10相关资料核心参数一览漏源电压VDS100V连续漏极电流ID75ATC25°C导通电阻RDS(on)典型值7.4mΩVGS10V栅极电荷Qg典型值53nC最大功耗PD120W封装形式TO-220工作温度范围-55°C 至 175°C产品亮点极低导通电阻典型值仅为7.4mΩ有效降低导通损耗提升系统效率。低栅极电荷设计Qg为53nC结合低RDS(on)实现优异的FOM品质因数适合高频开关应用。高可靠性测试100%经过UIS非钳位感性开关和AVDS测试确保器件的雪崩耐受能力和长期稳定性。无铅环保镀层符合RoHS要求便于通过环保认证。热性能优越结壳热阻仅为1.25°C/W配合TO-220封装散热效果良好。典型应用场景DC/DC转换器适合高压输入、低压大电流输出的电源模块。高频开关电路低Qg特性使其在高频下仍保持高效。同步整流极低的导通压降有助于提高整流效率。不间断电源UPS高电流能力和耐压范围满足备用电源系统需求。

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