新洁能NCEP016N85LL:85V/360A超低内阻功率MOSFET,助力高效高频开关应用

张开发
2026/4/10 20:42:26 15 分钟阅读

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新洁能NCEP016N85LL:85V/360A超低内阻功率MOSFET,助力高效高频开关应用
南山电子代理的NCEP016N85LL是新洁能NCE推出的一款采用Super Trench II先进工艺的N沟道功率MOSFET。该系列器件专门针对高频开关应用优化在导通损耗和开关损耗之间取得了极佳的平衡。凭借超低的导通电阻RDS(on)和栅极电荷QgNCEP016N85LL特别适用于DC/DC转换器、高频开关电路以及同步整流等场景。主要参数漏源电压 (VDS) 85V连续漏极电流 (ID) 360A TC25℃导通电阻 (RDS(ON)) 1.2mΩ 典型值 VGS10V, ID180A栅极阈值电压 (VGS(th)) 2.0V ~ 4.0V总栅极电荷 245nC 典型值最大工作结温 175°C产品亮点优异的FOM品质因数得益于Super Trench II技术实现了RDS(ON)与Qg的极低组合使其在高频工作时依然保持极低的功率损耗。高可靠性保障器件出厂前经过100% UIS雪崩击穿测试和100% ΔVds测试确保了单脉冲雪崩能量EAS高达3200mJ提升了应用中的系统稳定性。出色的散热与电流能力支持高达1440A的脉冲漏极电流采用TOLL封装后其结到壳的热阻RθJC仅为0.33℃/W极大优化了大电流环境下的散热表现。绿色环保采用无铅引脚电镀工艺符合现行环保标准。典型应用领域大功率 DC/DC 转换器高频开关电源电路高效同步整流系统电机驱动及大电流电源管理模块封装与规格信息封装形式TOLL器件标识NCEP016N85LL

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